ウェハーシンニング―コンセプト

バックラッピングとは研磨前やプロセス前の裏面を研磨し半導体ウェハーを薄くすることです。ウェハーは必要の厚さに切り揃えたり、メーカーの製造段階の許容公差を緩和したりするために、厚めに作られたりします。ウェハーのシンニングはお客様のアプリケーションに合うよう、電気的・光学的又は機械的な性能に順応させます。個々のチップやウェハーの部分品が個別に供給されることもありますが、通常ほとんどのウェハーは同時に研磨されます。例えば光ファイバーのアプリケーションにおいてダイシング前の部品を光ファイバーに最適化するために追加でシンニングやポリシングが必要な場合もあります。

ウェハーのシンニングで最も一般的な半導体材質はシリコンですが、ガリウム砒素やリン化インジウムを使用した半導体もあります。バックグラインドの一般的なものとしてはフリップチップがありますが、カードシステムや携帯電話、他のRF装置によく用いられています。半導体インゴットのスライス時に起きる傷跡や自然に発生する不良を起こさないために、ウェハーをより高度の均一な裏面にするシンニングやポリシングが必要かもしれません。

ウェハーのシンニングは元々クラックが生じやすい性質であるため、デリケートなプロセスです。専門的技術や経験がなければウェハーに過度なテンションをかけてしまいクラックが生じたり、均等に裏面を薄くできないために粉々に飛散したりします。ダイシングの時点で総合的に品質を保証し、歩留まり向上のためにウェハーの二回目のポリシングプロセスでは出来る限りテンションをかけないようにしなければなりません。このポリシングプロセスでウェハーにテンションをかけないことがウェハーの不安定性を引き起こす反りを防ぐこととなります。ウェハーのサイズや材質、パシベーション、厚さ、縮小比率というような様々な変動性に対して技術的知識や経験の有無が重要となります。様々な最終の厚み要求があり、0.050～0.200mmやまたあるプロセスでは0.010mm（10ミクロン）の薄さが要求されることもあります。さらに取り外しプロセスにおいてのウェハーのアクティブ面を保護することも重要なことです。


ウェハーシンニング―プロセス
とても清潔な特殊の粘着テープにウェハーのアクティブ面を貼り付け保護します。次に高精度な研磨機を用いてウェハーをスクロールする鉄板に取り付け、研磨するために裏面にスラリーを吹き付けます。スラリーとはラッピングオイルに炭化珪素や酸化アルミニウムを合わせたものです。酸化アルミニウムは表面に光沢を出し、ウェハーにテンションをかけないためのラッピング研磨剤です。ポリシングプロセス終了までウェハーへの慎重な荷重をかけることが高品質な表面にします。そして薬液洗浄し、ウェハーの前面より保護テープを剥します。

 

ウェハーシンニング ― 性能

• ８インチまでのウェハー対応

• #350～#2000までの低圧仕上げ

• バンプ付ウェハーも対応

• 多量注文に対応できる高速処理

詳しくは日本の代理店までお問い合わせください。